三氯氫硅的合成需要HCl氣體
我們前面說過,三氯氫硅的生產中,氯化氫的合成是必不可少的步驟之一。那么除了要用到氯化氫,還需要具備哪些條件因素呢?
硅的密度為2.329kg\cm3,沸點為2355℃,熔點為1480~1500℃,在三氯氫硅生產中其水分小于200ppm。有水易于形成鹽酸,鹽酸因含有游離氫而腐蝕設備,其爆炸極限下限為160g\ cm3。
硅在地殼中分部很廣,約占地殼總質量的1/4,僅次于氧。主要分部于黑龍江、吉林。硅分無定形硅和晶體硅。晶體硅是灰色有光澤、硬而脆的固體,其結構跟金剛石的結構相似,也是一種原子晶體,硅的導電性能介于金屬和絕緣體之間,單晶硅是良好的半導體,可用來制作半導體器件,如硅整流器、晶體管和集成電路等。
單晶硅和氯化氫都是半導體行業中非常重要的合成劑中間反映劑。所以,在生產過程中,熟悉掌握兩者的工藝流程對于整個三氯氫硅的生產起著舉足輕重的作用。
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